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N沟MOSF管IRF540NS

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市钜腾电子有限公司

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品牌/商标 其他 型号/规格 IRF540NS
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 CC/恒流
封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 100（V） 夹断电压 100（V）
*间电容 1960（pF） *大漏*电流 330（mA）
*大耗散功率 1300（mW）

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装其它名称
IRF540N(S,L)PbF
D2PAK Pkg
50
分离式半导体产品
MOSFET，GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
44 毫欧 @ 16A, 10V
100V
4V @ 250µA
71nC @ 10V
33A
1960pF @ 25V
130W
表面贴装
D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
管件
*IRF540NSPBF