P沟MOSF管NDT452AP.FAIRCHILD

地区:广东 深圳
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品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 NDT452AP
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装
开启电压 10(V) 夹断电压 2.8(V)
跨导 0(μS) *间电容 0(pF)
低频噪声系数 0(dB) *大耗散功率 0(mW)

SOT-223, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
NDT452AP
SOT-223-4
High Voltage Switches for Power Processing
SMPS Power Switch
MOSFET SOT-223 Pkg
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
65 毫欧 @ 5A, 10V
30V
5A
2.8V @ 250µA
30nC @ 10V
690pF @ 15V
1.1W
表面贴装
TO-261-4, TO-261AA
带卷 (TR)
SOT-223-3