N沟MOSF管IRL3714S

品牌/商标	INR美德国际整流器件	型号/规格	IRL3714S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	CHIP/小型片状	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	20（V）	夹断电压	20（V）
*间电容	550（pF）	*大漏*电流	360（mA）
*大耗散功率	3500（mW）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRL3714Z(S/L)PbF

TO-220AB Pkg

IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1 IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2

50

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

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36A

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通孔

TO-220-3 (直引线)

管件

1372 (CN091-10 PDF)

*IRL3714ZPBF