N沟MOSF管IRLL110

品牌/商标	ZET英国XETEX	型号/规格	IRLL110
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	DIFF/差分放大
封装外形	CHIP/小型片状	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	100（V）	夹断电压	100（V）
大漏电流	15（mA）

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRLL110PBF

SOT-223

IR(F,L)L Series Top
IR(F,L)L Series Side

2,500

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

540 毫欧 @ 900mA, 5V

100V

2V @ 250µA