P沟MOSF管IRFL9014

品牌/商标	VHSHAY	型号/规格	IRFL9014
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	D-G双栅四*
封装外形	SMD(SO)/表面封装	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	10（V）	大漏电流	110（mA）

SOT-223, P沟MOSFE

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRFL9014

SOT-223

IR(F,L)L Series Top
IR(F,L)L Series Side

4,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

-

MOSFET P 通道，金属氧化物

标准型

500 毫欧 @ 1.1A, 10V

60V

4V @ 250µA