P沟MOSF管IRFR220

品牌/商标	其他	型号/规格	IRFR220
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	封装外形	SMD(SO)/表面封装
材料	P-FET硅P沟道	开启电压	200（V）
夹断电压	25（V）	跨导	0（μS）
*间电容	0（pF）	低频噪声系数	0（dB）
*大漏*电流	0（mA）	*大耗散功率	0（mW）

TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET

产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

TO-252-2

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

800 毫欧 @ 2.9A, 10V

200V

4.8A

4V @ 250µA

14nC @ 10V

260pF @ 25V

2.5W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63

管件

D-Pak