P沟MOSF管SI9953DY

品牌/商标	其他	型号/规格	SI942*DY
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	WAFER/裸芯片	材料	P-FET硅P沟道
开启电压	20（V）	夹断电压	4.5（V）

SO8, P沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

SI942*DY

8-SOIC

DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

TrenchFET®

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

25 毫欧 @ 7.1A, 4.5V

20V

5.6A

850mV @ 250µA

40nC @ 4.5V

-

1.25W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽