N沟MOSF管IRL630S

品牌/商标	其他	型号/规格	IRL630S
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	CHIP/小型片状	材料	N-FET硅N沟道
开启电压	200（V）

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

IRL630SPBF

D2PAK, TO-263

IR(F,L,Z) Series Side 1 IR(F,L,Z) Series Side 2

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

400 毫欧 @ 5.4A, 5V

200V

9A

2V @ 250µA

40nC @ 10V

1100pF @ 25V

3.1W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB

管件

D2PAK