供应ST意法 STF19NF20 MOS效应管

ST意法  STF19NF20  MOS效应管

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）800pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）160 毫欧 @ 7.5A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220FP

封装/外壳TO-220-3 整包

STF19NF20  MOS效应管

特征

•极高的dv / dt能力

•门电荷最小化

•非常低的内在电容

应用

•切换应用程序

描述

这个功率MOSFET是使用的设计

公司的合并带钢布局为基础的MESH

OVERLAY™过程。 结果是一个产品

匹配或提高性能

与其他标准零件相当

制造商。

专营：

电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

  线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148

ST意法  STF19NF20  MOS效应管

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）24nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）800pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）25W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）160 毫欧 @ 7.5A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220FP

封装/外壳TO-220-3 整包

STF19NF20  MOS效应管

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