供应ST意法 STP4NK60Z 场效应MOS管

ST意法 STP4NK60Z  场效应MOS管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through

 Hole封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:4 ARds

 On-漏源导通电阻:2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:18.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:70 W

通道模式:Enhancement

高度:9.15 mm 

长度:10.4 mm

系列:N-channel MDmesh

 晶体管类型:1 N-Channel 

类型:MOSFET 

宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics

 正向跨导 - 最小值:3 S 

下降时间:16.5 ns 

上升时间:9.5 ns 

工厂包装数量:1000

 典型关闭延迟时间:29 ns 

典型接通延迟时间:12 ns 

单位重量:1.438 g

STP4NK60Z  场效应MOS管

特征

•100％雪崩测试

•非常低的内在电容

•齐纳保护

应用

•切换应用程序

描述

这些器件采用N沟道齐纳保护

功率MOSFET开发使用

意法半导体的SuperMESH™技术，

通过优化ST的井实现

建立了基于条带的PowerMESH™布局。 在

除了显着减少在线客户外，

电阻，这个设备的设计是为了确保一个

最高级别的dv / dt能力

苛刻的应用。

场效应MOS管  场效应MOS管  场效应MOS管