供应ST意法 STF22NM60N 场效应MOS管

ST意法  STF22NM60N  场效应MOS管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:44 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:30 W

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh

 晶体管类型:1 N-Channel

 商标:STMicroelectronics 

下降时间:38 ns

 产品类型:MOSFET 

上升时间:18 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:74 ns 

典型接通延迟时间:11 ns

 单位重量:330 mg

STF22NM60N  场效应MOS管

特征

■100％雪崩测试

■低输入电容和栅极电荷

■低栅极输入电阻

应用

切换应用

描述

这些设备使用第二个

新一代MDmesh™技术。 这个

革命性的功率MOSFET关联一个新的

垂直结构到公司的带钢布局

产生世界上的导通电阻之一

门收费。 因此它是最适合的

要求高效率转换器。

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:16 A

Rds On-漏源导通电阻:220 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:44 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

场效应MOS管  场效应MOS管