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STP15810 TO-220
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STP15810 TO-220
应用领域
•切换应用
描述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通状态电阻,同时还可减少内部电容和栅极电荷,从而实现更快,更高效的开关。
应用领域
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•切换应用
描述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通状态电阻,同时还可减少内部电容和栅极电荷,从而实现更快,更高效的开关。
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这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™F7技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通状态电阻,同时还可减少内部电容和栅极电荷,从而实现更快,更高效的开关。
波光电子
STP15810
绝缘栅(MOSFET)
其他
增强型
SW-REG/开关电源
N-FET硅N沟道
否
1
询问
TO-220
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