供应ST意法 STF26NM60N 晶体管

ST意法  STF26NM60N  晶体管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:165 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:60 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:35 W

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh

 晶体管类型:1 N-Channel 

商标:STMicroelectronics 

下降时间:50 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:25 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:85 ns 

典型接通延迟时间:13 ns 

单位重量:330 mg

STF26NM60N  晶体管

特征

订单代码V DS R DS（开）max I D

STF26NM60N 600 V 0.165Ω20 A.

100％雪崩测试

低输入电容和栅极电荷

低栅极输入电阻

应用

切换应用程序

描述

该器件是一个N沟道功率MOSFET

使用第二代开发

MDmesh™技术。 这个革命的力量

MOSFET与垂直结构相关联

公司的带钢布局产生世界上的一个

的导通电阻和栅极电荷。 它是

因此适合要求最高的高端

效率转换器。

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等。

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:50 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:25 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:85 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:330 mg

STF26NM60N  晶体管