供应ST意法 STF13N60M2 场效应晶体管

ST意法  STF13N60M2  场效应晶体管

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）80nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2400pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）40W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）160 毫欧 @ 10.5A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220FP

封装/外壳TO-220-3 整包

STF13N60M2  场效应晶体管

特征

■全球最佳的R DS（on）*区域

快速恢复二极管器件

■100％雪崩测试

■低输入电容和栅极电荷

■低栅极输入电阻

■极高的dv / dt和雪崩

功能

应用

■切换应用程序

描述

这些FDmesh™II功率MOSFET与

本征快速恢复体二极管产生

使用第二代MDmesh™

技术。 利用新的带状布局垂直

结构，这些革命性的设备功能

极低的导通电阻和优越性

开关性能。 他们是桥梁的理想选择

拓扑和ZVS相移转换器。

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

场效应晶体管   场效应晶体管