IR IRFP4227PBF MOS场效应管现货供应

半导体场效应管 场效应管现货供应

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分立半导体产品 >  晶体管 - FET，MOSFET - 单   场效应管 

制造商零件编号  IRFP4227PBF  场效应管

 描述  MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况    

无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

原厂标准交货期26 周

详细描述通孔 N 沟道 pval(2068) 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC

一般信息数据列表IRFP4227PBF;

标准包装  25零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列HEXFET®

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）200V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）65A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）98nC电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10VVgs（最大值）±30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）4600pF电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25VFET 功能-功率耗散（最大值）330W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）25 毫欧 @ 46A，10V工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-247AC封装/外壳TO-247-3