场效应管MOS管STP23NM50N现货

制造商编号：STP23NM50N
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 162 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Tube
系列: STP23NM50N 
晶体管类型: 1 N-Channel 
商标: STMicroelectronics 
产品类型: MOSFET 
工厂包装数量: 1000 
子类别: MOSFETs 
单位重量: 330 mg