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IRG4PC50UDPBF TO-247 IR MOS管原装

地区：广东 深圳
认证：

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IRG4PC50UDPBF TO-247  IR  参数：

IRG4PC50UDPBF TO-247  IR  参数：

Infineon

IGBT 晶体管

 详细信息

 

Si

TO-247-3

Through Hole

Single

600 V

2 V

20 V

55 A

200 W

- 55 C

Tube

20.7 mm

 

15.87 mm

 

5.31 mm

 

Infineon / IR

 

IGBT Transistors

 

400

 

IGBTs

 

IRG4PC50UDPBF SP001536024

 

38 g


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品牌

IR

型号

IRG4PC50UDPBF

封装

TO-247

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

600V

漏极电流(Id)

180nC

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±25V

栅极电荷(Qg)

150QG

反向恢复时间

28

耗散功率

200w

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

家用电器