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STP8NK100Z TO-220 场效应管MOS管原装ST

地区：广东 深圳
认证：

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 STP8NK100Z TO-220  参数：

 STP8NK100Z TO-220  参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

1 kV

6.5 A

1.85 Ohms

10 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Single

Enhancement

SuperMESH

Tube

9.15 mm

 

10.4 mm

 

STP8NK100Z

 

1 N-Channel MOSFET

 

MOSFET

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

7 S

 

30 ns

 

MOSFET

 

19 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

59 ns

 

28 ns

 

330 mg

 

格式工厂改版详情页--水印

品牌

ST/意法

型号

STP8NK100Z

封装

TO-220

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

1000V

漏极电流(Id)

6.5A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

102nC @ 10V

反向恢复时间

25

耗散功率

160W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

家用电器

导电方式

增强型