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MOS管STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管

地区：广东 深圳
认证：

深圳市波光电子有限公司

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STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管 参数：

STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管 参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

60 V

60 A

14 mOhms

10 V

2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Single

Enhancement

STripFET

9.15 mm

 

10.4 mm

 

STP65NF06

 

1 N-Channel Power MOSFET

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

50 S

 

16 ns

 

MOSFET

 

60 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

40 ns

 

15 ns

 

330 mg

 































品牌

ST/意法

型号

STP65NF06

封装

TO-220

批号

新年份

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

60V

漏极电流(Id)

60A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±20V

栅极电荷(Qg)

75nC @ 10V

反向恢复时间

25

耗散功率

110W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居