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原装ST意法 STGW38IH130D TO247 MOS管

地区：广东 深圳
认证：

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原装ST意法 STGW38IH130D TO247 MOS管   参数：

原装ST意法 STGW38IH130D TO247 MOS管   参数：

STMicroelectronics

IGBT 晶体管

 详细信息

 

Si

TO-247

Through Hole

Single

1300 V

2.1 V

25 V

55 A

180 W

- 55 C

+ 150 C

STGW38IH130D

Tube

20.15 mm

 

15.75 mm

 

5.15 mm

 

STMicroelectronics

 

55 A

 

+/- 100 nA

 

IGBT Transistors

 

30

 

IGBTs

 

6.500 g



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品牌

ST/意法

型号

STGW38IH130D

封装

TO247

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

600V

漏极电流(Id)

询问

漏源导通电阻(RDS On)

询问

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

127nC

反向恢复时间

25

耗散功率

250W

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居