波光电子 STD7NM60N场效应管MOS管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市波光电子有限公司

VIP会员7年

全部产品 进入商铺

制造商编号:STD7NM60N
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 900 mOhms
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
商标名: MDmesh
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STD7NM60N 
晶体管类型: 1 N-Channel 
商标: STMicroelectronics 
产品类型: MOSFET 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
单位重量: 4 g

品牌

ST/意法

型号

STD7NM60N

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

货号

1