供应ST意法 STP55NF06 场效应MOS管

ST意法  STP55NF06  场效应MOS管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through 

Hole封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channe

l晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:18 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:44.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

配置:Single

Pd-功率耗散:110 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.15 mm 

长度:10.4 mm 

系列:N-channel STripFET 

晶体管类型:1 N-Channel 

类型:MOSFET 

宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics 

正向跨导 - 最小值:18 S

 下降时间:15 ns 

上升时间:50 ns 

工厂包装数量:1000

 典型关闭延迟时间:36 ns 

典型接通延迟时间:20 ns 

单位重量:2.240 g

STP55NF06  场效应MOS管

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

  线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

场效应MOS管 场效应MOS管