ST场效应管STF13NM60N原装现货

制造商编号：STF13NM60N

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 25 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 25 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Tube

系列: STF13NM60N  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 10 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 8 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 30 ns  

典型接通延迟时间: 3 ns  

单位重量: 330 mg