ST意法场效应管STD35NF06LT4

制造商编号：STD35NF06LT4
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 35 A
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 80 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: STripFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm 
长度: 6.6 mm 
系列: STD35NF06L 
晶体管类型: 1 N-Channel 
类型: MOSFET 
宽度: 6.2 mm 
商标: STMicroelectronics 
正向跨导 - 最小值: 28 S 
下降时间: 20 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 100 ns 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 40 ns 
典型接通延迟时间: 20 ns 
单位重量: 4 g