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STGW30N120KD TO-247 ST意法 MOS管

地区：广东 深圳
认证：

深圳市波光电子有限公司

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STGW30N120KD TO-247 ST意法 MOS管  参数：

STGW30N120KD TO-247 ST意法 MOS管  参数：

STMicroelectronics

IGBT 晶体管

 详细信息

 

Si

TO-247-3

Through Hole

Single

1200 V

25 V

- 55 C

+ 125 C

STGW30N120KD

Tube

60 A

 

20.15 mm

 

15.75 mm

 

5.15 mm

 

STMicroelectronics

 

IGBT Transistors

 

30

 

IGBTs

 

38 g






















品牌

ST/意法

型号

STGW30N120KD

封装

TO-247

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

1200V

漏极电流(Id)

135AT

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

60A

反向恢复时间

28

耗散功率

220W

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 125°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居