供应ST意法 STF8NK100Z MOSFET

ST意法 STF8NK100Z  

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1000 V

Id-连续漏极电流:6.5 A

Rds On-漏源导通电阻:1.6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:40 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.3 mm 

长度:10.4 mm

 系列:N-channel MDmesh

 晶体管类型:1 N-Channel 

类型:MOSFET 

宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics 

正向跨导 - 最小值:7 S 

下降时间:30 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:19 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:59 ns 

典型接通延迟时间:28 ns

 单位重量:330 mg

STF8NK100Z  MOSFET

一般特征

■非常高的dv / dt功能

■100％的雪崩评级

■改进的ESD能力

■极低的内在电容

描述

SuperMESH™系列是通过一个

ST的优化极其优化

基于条带的PowerMESH™布局。 此外

推动导通电阻显着下降，特别

注意确保非常好的dv / dt

能力为最苛刻的应用程序。

这个系列补充了ST全系列的高

包括革命性的高压MOSFET

MDmesh™产品。

应用

■高电流，开关应用

■理想的离线电源