供应ST意法 STF3N62K3 晶体管

ST意法  STF3N62K3  晶体管

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）620V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）13nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10VVgs

（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）385pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25VFET 

功能-功率耗散（最大值）20W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）2.5 欧姆 @ 1.4A，10V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-220FP

封装/外壳TO-220-3 整包

STF3N62K3  晶体管

特征

■100％雪崩测试

■极高的dv / dt能力

■非常低的内在电容

■改进二极管反向恢复

特点

■齐纳保护

应用

■切换应用程序

描述

新的SuperMESH3™系列获得

通过进一步微调的结合

意法半导体成熟的条状PowerMESH™

布局与垂直的新的优化

结构体。 除了减少导通电阻

与前一代相比，特别显着

已经注意到确保非常好

dv / dt能力和更高的故障余量

电压为最苛刻的应用。

主营：

三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

  线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148

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