供应ST意法 STF25NM60ND 场效应MOS管

ST意法  STF25NM60ND  场效应MOS管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:21 A

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:40 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.3 mm 

长度:10.4 mm 

系列:STB25NM60N 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:4.6 mm 

商标:STMicroelectronics

下降时间:40 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:30 ns

 工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs

 典型关闭延迟时间:50 ns

 典型接通延迟时间:60 ns 

单位重量:330 mg

STF25NM60ND  场效应MOS管

特征

■全球最佳的R DS（on）*区域

快速恢复二极管器件

■100％雪崩测试

■低输入电容和栅极电荷

■低栅极输入电阻

■极高的dv / dt和雪崩

功能

应用

■切换应用程序

描述

这些FDmesh™II功率MOSFET与

本征快速恢复体二极管产生

使用第二代MDmesh™

技术。 利用新的带状布局垂直

结构，这些革命性的设备功能

极低的导通电阻和优越性

开关性能。 他们是桥梁的理想选择

拓扑和ZVS相移转换器。

场效应MOS管  场效应MOS管