场效应管IRFP3710PBF原装

地区:广东 深圳
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制造商编号:IRFP3710PBF
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 51 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 66.7 nC
Pd-功率耗散: 180 W
配置: Single
封装: Tube
高度: 20.7 mm 
长度: 15.87 mm 
晶体管类型: 1 N-Channel 
宽度: 5.31 mm 
商标: Infineon Technologies 
产品类型: MOSFET 
工厂包装数量: 400 
子类别: MOSFETs 
零件号别名: IRFP3710PBF SP001552026 
单位重量: 38 g  

品牌

IR

型号

IRFP3710PBF

封装

TO-247

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压(Vdss)

60

漏极电流(Id)

50

漏源导通电阻(RDS On)

40

栅源电压(Vgs)

70

栅极电荷(Qg)

80

反向恢复时间

30

耗散功率

90

配置类型

询问

工作温度范围

询问

安装类型

询问

应用领域

智能家居