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SILAN士兰微 SVF4N65F TO-220F 场效应管

地区：广东 深圳
认证：

深圳市波光电子有限公司

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SVF4N65F  描述：

SVF4N65F  描述：

SVF4N65F  描述：

SVF4N65F/M/MJ/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

  • 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力

SVF4N65F/M/MJ/D  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

  • 4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3Ω@VGS=10V

  • 低栅极电荷量

  • 低反向传输电容

  • 开关速度快

  • 提升了dv/dt 能力


品牌

SILAN士兰微

型号

SVF4N65F

封装

TO-220F

批号

询问

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

650V

漏极电流(Id)

2.8A

漏源导通电阻(RDS On)

2.7Ω

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

8.03

反向恢复时间

190ns

耗散功率

80

配置类型

询问

工作温度范围

询问

安装类型

询问

应用领域

智能家居