供应ST意法 STFW4N150 场效应管

ST意法  STFW4N150  场效应管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PF-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:1500 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:7 Ohms

配置:Single

Pd-功率耗散:63 W

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh 

晶体管类型:1 N-Channel

 商标:STMicroelectronics 

产品类型:MOSFET

 工厂包装数量:300

 子类别:MOSFETs 

单位重量:7 g

STFW4N150  场效应管

特征

■100％雪崩测试

■内在电容和Qg最小化

■高速切换

■完全隔离的TO-3PF塑料封装

■爬电距离路径为5.4 mm（典型值）

TO-3PF

应用

■切换应用程序

描述

使用良好整合的高压MESH

OVERLAY™工艺，意法半导体

设计了一个高电压的高级系列

性能卓越的功率MOSFET。

加强版图配合

公司专有的边缘终端结构，

给出每个区域的R DS（on），无与伦比的大门

充电和开关特性。

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列