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产品属性
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ST意法 STF9NK90Z MOSFET
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:900 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:1.3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:30 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:40 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube高度:9.3 mm
长度:10.4 mm
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.6 mm
商标:STMicroelectronics
下降时间:28 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:13 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:55 ns
典型接通延迟时间:22 ns
单位重量:330 mg
STF9NK90Z MOSFET
特征
■极高的dv / dt能力
■100%雪崩测试
■门电荷最小化
应用
■切换应用程序
描述
SuperMESH™系列是通过一个
意法半导体(ST)
建立了基于条形的PowerMESH™布局。 在
除了显着的推动导通电阻
更低,它也确保非常好的dv / dt能力
为最苛刻的应用程序。 这个系列
补充ST的全系列高压电源
的MOSFET。
专营原装正品:三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等:
三端稳压管:78/79、78M/79M、78L/79L系列
可控硅:BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8,97A6/A8,CR02/03,2P4M系列
STF9NK90Z
ST(意法半导体)
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装