ST意法 STP75NF75 MOS效应管

ST意法  STP75NF75 MOS效应管

技术:S

i安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:75 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:11 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:117 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

配置:Single

Pd-功率耗散:300 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:9.15 mm

 长度:10.4 mm

 系列:STP75NF75FP 

晶体管类型:1 N-Channel 

类型:MOSFET 

宽度:4.6 mm

 商标:STMicroelectronics

 下降时间:30 ns 

上升时间:100 ns 

工厂包装数量:1000

 典型关闭延迟时间:66 ns 

典型接通延迟时间:25 ns

 单位重量:2 g

ST意法  STP75NF75   晶体管  MOSFET

描述

这个功率MOSFET系列实现了

意法半导体独特的STripFET™工艺

专门用于减少投入

电容和栅极电荷。 因此

适合作为高级高速开关的主开关

高效率的高频隔离DC-DC

电信和计算机转换器

应用。 它也适用于任何

低门驱动要求的应用。

应用

■切换应用程序

主营

三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

  线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148

MOS效应管  MOS效应管  MOS效应管