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ST意法 STD2HNK60Z-1 TO-252 原装MOS管

地区：广东 深圳
认证：

深圳市波光电子有限公司

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ST意法 STD2HNK60Z-1 TO-252 参数：

ST意法 STD2HNK60Z-1 TO-252 参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-251-3

1 Channel

N-Channel

600 V

2 A

4.8 Ohms

30 V

3.75 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Single

Enhancement

SuperMESH

Tube

6.2 mm

 

6.6 mm

 

STD2HNK60Z-1

 

1 N-Channel

 

2.4 mm

 

STMicroelectronics

 

1.5 S

 

50 ns

 

MOSFET

 

30 ns

 

3000

 

MOSFETs

 

13 ns

 

10 ns

 

400 mg

































品牌

ST/意法

型号

STD2HNK60Z-1

封装

TO-252

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

600V

漏极电流(Id)

2A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

反向恢复时间

28

耗散功率

45W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

家用电器

导电方式

增强型