IR IRF640NPBF MOS场效应管

IR IRF640NPBF  MOS场效应管

数据列表 IRF640N(S,L)PbF;

标准包装  50

零件状态  在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列  HEXFET®

英飞凌  IRF640NPBF  晶体效应管 IR英飞凌 IRF640NPBF  MOS管  场效应管  晶体管 MOSFET

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）67nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1160pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）150W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）150 毫欧 @ 11A，10V

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型  通孔

供应商器件封装TO-220AB

封装/外壳TO-220-3

IR IRF640NPBF   晶体管 - FET，MOSFET - 单 

IR英飞凌 IRF640NPBF  MOS管  场效应管  晶体管 MOSFET

描述

VDSS = 200V

RDS（on）=0.15Ω

ID = 18A

小号

d

G

？先进的工艺技术

？动态dv / dt额定值

？ 175°C工作温度

？快速切换

？完全雪崩评级

？易于并联

？简单的驱动要求

D2PAK

IRF640NSPbF

TO-220AB

IRF640NPbF

TO-262

IRF640NLPbF

IRF640NPbF

IRF640NSPbF

IRF640NLPbF

第五代HEXFET®功率MOSFET

国际整流器利用先进的处理

技术来实现极低的导通电阻

硅面积。这个好处，结合快速切换

高速和坚固耐用的设备设计，HEXFET Power

MOSFET是众所周知的，为设计人员提供了一个

非常有效和可靠的设备在广泛使用

各种应用程序。

TO-220封装是所有人都普遍喜欢的

在功耗级别的商用工业应用

到大约50瓦。低热阻和

TO-220的低封装成本有助于其广泛应用

整个行业的接受度。

D2Pak是一款表面贴装功率封装，

适应HEX-4的尺寸。它提供了

最高的功率和的电阻

在任何现有的表面贴装封装中。该

D2Pak由于其适用于高电流应用

内部连接电阻低，可以耗散至多

2.0W在典型的表面安装应用中。

通孔版本（IRF640NL）适用于低配置文件

应用。

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