场效应管STD2LN60K3 TO-252原装现货

制造商编号：STD2LN60K3
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
Pd-功率耗散: 45 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: STD2LN60K3 
晶体管类型: 1 N-Channel 
商标: STMicroelectronics 
下降时间: 21 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 8.5 ns 
工厂包装数量: 2500 
子类别: MOSFETs 
典型关闭延迟时间: 23.5 ns 
典型接通延迟时间: 10 ns 
单位重量: 4 g