供应ST意法 STF10NM60N 场效应晶体管

ST意法  STF10NM60N  场效应晶体管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

 技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:70 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh 

晶体管类型:1 N-Channel 

商标:STMicroelectronics

 下降时间:15 ns 

产品类型:MOSFET

 上升时间:12 ns 

工厂包装数量:1000 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:32 ns

 典型接通延迟时间:10 ns

 单位重量:330 mg

STF10NM60N  场效应晶体管

特征

•100％雪崩测试

•低输入电容和栅极电荷

•低门输入电阻

应用

•切换应用程序

描述

这些器件是N沟道功率MOSFET

使用第二代开发

MDmesh™技术。 这个革命的力量

MOSFET与垂直结构相关联

公司的带钢布局产生世界上的一个

的导通电阻和栅极电荷。 它是

因此适合要求最高的高端

效率转换器。

主营：

  触发管：DB3

  开关管：4148

ST意法  STF10NM60N  场效应晶体管

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:550 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:19 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:70 W

通道模式:Enhancement

封装:Tube

系列:N-channel MDmesh

晶体管类型:1 N-Channel

商标:STMicroelectronics

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:330 mg

STF10NM60N  场效应晶体管

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