产品详情

IRG4PC40WPBF TO-247 IR 场效应管MOS管

地区：广东 深圳
认证：

深圳市波光电子有限公司

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IRG4PC40WPBF TO-247  IR  参数：

IRG4PC40WPBF TO-247  IR  参数：


Infineon

IGBT 晶体管

 详细信息

 

Si

TO-247-3

Through Hole

Single

600 V

2.5 V

20 V

40 A

160 W

- 55 C

Tube

20.7 mm

 

15.87 mm

 

5.31 mm

 

Infineon / IR

 

IGBT Transistors

 

400

 

IGBTs

 

IRG4PC40WPBF SP001533592

 

38 g























品牌

IR

型号

IRG4PC40WPBF

封装

TO-247

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

600V

漏极电流(Id)

150C（AT）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

85V

反向恢复时间

28

耗散功率

160W

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居