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ST MOS管STP110N8F6 TO-220 80V110A

地区：广东 深圳
认证：

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STP110N8F6 TO-220  80V110A 参数：

STP110N8F6 TO-220  80V110A 参数：

STP110N8F6 TO-220  80V110A 参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

80 V

110 A

6.5 mOhms

10 V

2.5 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Single

Enhancement

STripFET

15.75 mm

 

10.4 mm

 

STP110N8F6

 

1 N-Channel Power MOSFET

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

48 ns

 

MOSFET

 

61 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

162 ns

 

24 ns

 

330 mg

格式工厂改版详情页--水印

品牌

ST/意法

型号

STP110N8F6

封装

TO-220

批号

新年份

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

80V

漏极电流(Id)

110A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

6.5 毫欧 @ 55A，10V

栅源电压(Vgs)

±20V

栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

反向恢复时间

询问

耗散功率

200W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

家用电器,智能家居