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产品属性
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ST意法 STF19NM50N 晶体管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:500 V
Id-连续漏极电流:14 A
Rds On-漏源导通电阻:250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:34 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:30 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:17 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:16 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:61 ns
典型接通延迟时间:12 ns
单位重量:330 mg
特征
•100%雪崩测试
•低输入电容和栅极电荷
•低门输入电阻
应用
•切换应用程序
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用第二代开发
MDmesh™技术。 这个革命的力量
MOSFET与垂直结构相关联
公司的带钢布局产生世界上的一个
的导通电阻和栅极电荷。 它是
因此适合要求最高的高端
效率转换器。
三端稳压管:78/79、78M/79M、78L/79L系列
可控硅:BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8,97A6/A8,CR02/03,2P4M系列
场效应管/MOS管:FQPF、IRF,STP系列
光耦:4N、6N、MOC、TLP、817、357系列
功率管/IGBT管:FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列
电源驱动:VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列
STF19NM50N
ST(意法半导体)
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装