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STP4NK60Z TO-220 场效应管MOS管原装

地区：广东 深圳
认证：

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STP4NK60Z TO-220 场效应管MOS管 参数：

STP4NK60Z TO-220 场效应管MOS管 参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

600 V

4 A

2 Ohms

30 V

18.8 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Single

Enhancement

SuperMESH

9.15 mm

 

10.4 mm

 

STP4NK60Z

 

1 N-Channel

 

MOSFET

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

3 S

 

16.5 ns

 

MOSFET

 

9.5 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

29 ns

 

12 ns

 

1.438 g

格式工厂改版详情页--水印

品牌

ST/意法

型号

STP4NK60Z

封装

TO-220

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

600V

漏极电流(Id)

4A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±30V

栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

反向恢复时间

28

耗散功率

70W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

家用电器

导电方式

增强型