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STD11NM60N TO-252 场效应管MOS管原装ST

地区：广东 深圳
认证：

深圳市波光电子有限公司

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STD11NM60N TO-252  参数：

STD11NM60N TO-252  参数：

STD11NM60N TO-252  参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

SMD/SMT

TO-252-3

1 Channel

N-Channel

600 V

10 A

450 mOhms

25 V

- 55 C

+ 150 C

90 W

Single

Enhancement

Cut Tape

MouseReel

Reel

2.4 mm

 

6.6 mm

 

STB11NM60

 

1 N-Channel

 

6.2 mm

 

STMicroelectronics

 

12 ns

 

MOSFET

 

18.5 ns

 

2500

 

MOSFETs

 

50 ns

 

22 ns

 

4 g


品牌

ST/意法

型号

STD11NM60N

封装

TO-252

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

600V

漏极电流(Id)

10A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±25V

栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

反向恢复时间

25

耗散功率

90W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居