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产品属性
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ST意法 STF7NM60N MOS管
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:5 A
Rds On-漏源导通电阻:900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:25 V
Qg-栅极电荷:12 nC
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:20 W
封装:Tube
系列:N-channel MDmesh
晶体管类型:1 N-Channel
类型:Power MOSFET
商标:STMicroelectronics
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
单位重量:330 mg
STF7NM60N MOS管
特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用
切换应用
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
用第二代实现
MDmesh TM技术。 它适用于的好处
意法半导体(ST)
着名的PowerMESH™水平布局
结构体。 最终的产品提供了改进
导通电阻,栅极电荷低,dv / dt高
能力和优秀的雪崩特性。
线性电路:LM、TL、NE系列
稳压管:0.5W、1W、2W系列
肖特基:MBR、STPS、STTH系列
快恢复管:MUR系列
触发管:DB3
开关管:4148
场效应管/MOS管:FQPF、IRF,STP系列
光耦:4N、6N、MOC、TLP、817、357系列
功率管/IGBT管:FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列
电源驱动:VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列
数字电路/TTL:74HC/LS、TDA系列
模拟电路/CMOS:4000、4500系列
MOS管 MOS管
STF7NM60N
ST(意法半导体)
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装