STP60NF06 TO-220 ST意法 60V 60A 110W

地区:广东 深圳
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STP60NF06 TO-220 ST意法  参数:

STP60NF06 TO-220 ST意法  参数:

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

60 V

60 A

16 mOhms

10 V

2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Single

Enhancement

STripFET

Tube

9.15 mm

 

10.4 mm

 

STP60NF06

 

1 N-Channel Power MOSFET

 

MOSFET

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

50 S

 

20 ns

 

MOSFET

 

65 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

45 ns

 

15 ns

 

330 mg


































品牌

ST/意法

型号

STP60NF06

封装

TO-220

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

漏极电流(Id)

60A(Tc)

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±20V

栅极电荷(Qg)

110W(Tc)

反向恢复时间

35

耗散功率

110W(Tc)

配置类型

询问

工作温度范围

50°C

安装类型

-55°C ~ 175°C(TJ)

应用领域

智能家居