FSC仙童 FQPF4N90C 效应MOS管

FSC仙童 FQPF4N90C 场效应管

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）900V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）22nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）960pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）47W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.2 欧姆 @ 2A，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔 

供应商器件封装TO-220F

封装/外壳TO-220-3 整包

FSC仙童 FQPF4N90C  MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F

描述

FQP4N90C / FQPF4N90C - N沟道QFET®MOSFET

这个N沟道增强型功率MOSFET是

采用飞兆半导体专有平面生产

条纹和DMOS技术。 这款先进的MOSFET

技术特别适合减少在线状态

阻力，并提供卓越的开关性能

和高雪崩能量强度。 这些设备是

适用于开关模式电源，有功功率

因子校正（PFC）和电子灯镇流器。

场效应管   MOS   220F  

特征  效应MOS管 效应MOS管效应MOS管效应MOS管

•

4.0 A，900 V，R DS（on）= 4.2Ω（最大）@ V GS = 10 V，

我D = 2.0 A.

•低栅极电荷（典型值17 nC）

•低Crss（典型值5.6 pF）

•100％经过雪崩测试

FQPF4N90C 场效应管，晶体管，MOSFET