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STF11N65M2 TO-220F 场效应管MOS管原装ST

地区：广东 深圳
认证：

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STF11N65M2 TO-220F 场效应管MOS管 参数：

STF11N65M2 TO-220F 场效应管MOS管 参数：

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

650 V

7 A

670 mOhms

25 V

3 V

12.5 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Single

MDmesh II Plus

Tube

Power MOSFETs

 

STF11N65M2

 

1 N-Channel

 

STMicroelectronics

 

15 ns

 

MOSFET

 

7.5 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

26 ns

 

9.5 ns

 

330 mg


格式工厂改版详情页--水印

品牌

ST/意法

型号

STF11N65M2

封装

TO-220F

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压（Vdss）

650V

漏极电流(Id)

7A（Tc）

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

±25V

栅极电荷(Qg)

12.5nC @ 10V

反向恢复时间

28

耗散功率

25W（Tc）

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

应用领域

智能家居