IRF530NSTRLPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds上漏源导通电阻：90毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：37 nC
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：3.8 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
正向跨导-预期：12 S
下降时间：25 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：22 ns
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：35 ns
典型起始延迟时间：9.2 ns
零件号别名：IRF530NSTRLPBF SP001563332
单位重量：4 g
特征

•先进的工艺技术
•超低导通电阻
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）的高级

HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，使

每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用

的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有

效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4

的裸片尺寸。 它在任何现有的表面贴装封装中提供最高

的功率能力和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，

因此适合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗

散功率高达2.0W。
通孔版本（IRF530NL）可用于薄型应用。