IRF9Z34NPBF MOSFET ▊进口原装现货▊

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：17 A
Rds漏源导通电阻：100毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：23.3 nC
Pd-功率耗散：56 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
MOSFET工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF9Z34NPBF SP001560182
单位重量：6 g
特征

•先进的工艺技术
•动态dv / dt评级
•175°C工作温度
•快速切换
•P通道
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET

Power M0SFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的

器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可

靠的器件，可广泛用于各种应用中。
T0-220封装普遍适用于所有商业工业应用，其功耗水平

约为50瓦。 T0-220的低热阻和低封装成本使其在整个行

业中得到广泛认可。
最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
I_D @ T_C = 25°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-19	A
I_D @ T_C = 100°C	Continuous Drain Current, V_GS @ -10V	-14
IDM	Pulsed Drain Current CD	-68
P_D @T_C = 25°C	Power Dissipation	68	W
	Linear Derating Factor	0.45	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	士 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	180	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	-10	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	6.	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CT	-5.0	V/ns
T_J TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )	°C
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10 lbf•in (1.1N•m)

型号/规格

IRF9Z34NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装