IXTH30N60L2 TO-247-3 mos管N沟道

型号：IXTH30N60L2

产品属性属性值选择属性

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 335 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
系列: IXTH30N60
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 43 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear L2 Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 123 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
宽度: 5.3 mm

单位重量: 6 g

型号：IXTH30N60L2

产品属性属性值选择属性
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 335 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
系列: IXTH30N60
封装: Tube
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 43 ns
正向跨导 - 小值: 10 S
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear L2 Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 123 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
宽度: 5.3 mm
单位重量: 6 g

型号/规格

IXTH30N60L2

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

封装形式

TO-247-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

产品种类

场效应管(MOSFET)

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

30 A

Rds On-漏源导通电阻

240 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2.5 V

供应IXTH30N60L2 TO-247-3 mos管N沟道