晶体管 BSC100N03 MOSFET

地区:广东 深圳
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BSC100N03介绍

描述 MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),44A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包装 ? 带卷(TR) ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),44A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),30W(Tc)

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 PG-TDSON-8

封装/外壳 8-PowerTDFN

安富利(深圳)商贸有限公司介绍:


公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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MOSFET电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET,或简称PMOS。





系列

OptiMOS™

类别

半导体产品

产品族

晶体管 - FET,MOSFET - 单

电压

30V